松下、半導体・液晶用プロセス技術の開発会社�潟�ー・ジェー・ティー・ラボを設立

●松下電器産業�鰍ﾍ、半導体・液晶用プロセス技術の開発会社「株式会社ユー・ジェー・ティー・ラボ」を２００２年６月６日に設立した。

同社は、社内ベンチャー支援制度「パナソニック・スピンアップ・ファンド」（以下、PSUF）を活用した新会社で、半導体や液晶などのプロセス技術開発会社として発足し、特にトランジスタ製造用の「接合形成技術」を中心に事業を進めていく。具体的には国際ロードマップ、ITRS2001（※１）で要求されている、微細かつ超高性能のトランジスタを実現するための次世代技術「プラズマドーピング」（※２）と「レーザアニール」（※３）の開発及び技術導入を行う。技術導入に際しては、開発者自身が直接コンサルティングに当たり、市場に密着した対応を行い、普及を進める。

将来は、さらに高度なプロセス技術である、原子レベルのドーピング制御技術やイオン注入機の高精度制御技術についても開発を行う予定だ。今後、産学協同をはじめ、幅広く共同開発のできる機動力の高い会社として運営する意向を示している（AV　REVIEW編集部）。

●会社概要：株式会社ユー・ジェー・ティー・ラボ（英文名：Ultimate Junction Technologies Inc）
●所在地：大阪府守口市八雲中町３丁目１番１号　松下電器内（電話：０６−６９０６−６２０８）
●出資金：３億５０００万円
●社長：水野文二（みずの　ぶんじ）
●人員：３人
●出資比率：松下電器98.5％、水野文二１％、佐々木雄一朗0.5％
●ＰＳＵＦの運用期間：２００１年４月から２００４年３月
●投資資金：総額１００億円、１件あたり５億円未満
●出資比率：松下電器５１％以上、提案者本人３０％以下、外部３０％以下
●事業見極め：３年目単年度黒字、５年目累損解消を基本とする

（※１）ITRS２００１（International Technology Roadmap of Semiconductor）
日米欧韓台合同で出版している、将来必要な半導体技術の国際的合意に基づいた道標。国際ロードマップ。
（※２）「プラズマドーピング技術」
プラズマを用いて、超低エネルギーで物質を添加する技術。微細半導体、液晶形成に必須の次世代技術。半導体、液晶はシリコンを材料として形成する。シリコンは周期律表で４属の元素。これに３属や５属の物質を添加（これがドーピングの意味）する事によって、+/−の電気特性を持たせることができる。
（※３）「レーザアニール技術」
レーザを用いて物質を電気的に活性にする技術。ドーピングした物質を電気的に活性にするために「アニール」技術が必要。ここではレーザを利用し、シリコンを溶融させない特に高度な物理的条件で行う事を特徴としている。