三洋電機、世界初の新構造低ノイズビーム青紫色半導体レーザを開発

イオン注入型青紫色半導体レーザー

●三洋電機株式会社は、世界で初めてイオン注入技術を用いた新構造低ノイズビーム青紫色半導体レーザーを開発した。従来構造に比べて半導体レーザの低ノイズ、低電流化など高性能化が可能で、次世代DVDなどの大容量光ディスクシステム用の光源として最適レーザーだ。

　近年、光ディスクシステムの分野において、デジタル高品位映像を2時間以上録画できる次世代大容量光ディスクシステム(次世代DVDなど)の開発が進められている。この新規システムを実現するためには、光ディスク上の信号を読み出すための光源として、InGaN(インジウムガリウムナイトライド)系化合物半導体材料を用いた青紫色半導体レーザが必要となり、今後、次世代大容量光ディスクシステムの発売、普及とともに急速に需要が拡大すると予想されている。
　この青紫色半導体レーザーについて、三洋電機ではこれまで独自の結晶成長技術、素子作製技術の開発を行ってきた。今回、これらの基盤技術をもとに、低ノイズ、低電流化などの高性能化が可能となる新構造(ビーム安定型)低ノイズビーム青紫色半導体レーザを世界で初めて開発。これにより、次世代DVDなどの大容量光ディスクシステムの実用化が可能となる。 また、各種計測機器にも応用が可能とのことだ。
（AVレビュー編集部）