書き込み速度の高速化など

東芝、48層積層プロセス採用の3次元フラッシュメモリー開発

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編集部:杉浦 みな子
2015年03月26日
東芝は、48層積層プロセス採用の3次元フラッシュメモリーを開発したと発表した。本日からサンプル出荷を開始している。

48層積層プロセスを採用した3次元フラッシュメモリー

世界初という48層積層プロセスを用いた128ギガビット(16ギガバイト)の2ビット/セル(MLC)3次元フラッシュメモリー(BiCS)。現行製品と比較し、書き込み速度の高速化や書き換え寿命などの信頼性向上などを図っている。

同社では、スマートフォン/タブレット、メモリカードなどのコンシューマー製品や、データセンター向けエンタープライズSSD製品に向けて、メモリーの大容量化や小型化といった市場ニーズに応えるため、フラッシュメモリーの3次元積層構造化を進めSSDを中心とした製品群を展開していくとしている。

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