シャープとウインボンド・エレクトロニクス、次世代フラッシュメモリを共同開発

2001年11月08日
●シャープ(株)と台湾の半導体メーカー ウインボンド・エレクトロニクス社が、次世代フラッシュメモリ技術の共同開発を行うことで合意した。

シャープが独自に開発したメモリセル技術“ACT1”を用いて、0.18ミクロン及び0.13ミクロンのフラッシュメモリ技術を共同開発する。
 
最初の製品は、0.13ミクロンプロセスを用いた128Mビットまたは256Mビットのフラッシュメモリで、2004年第1四半期に実現する予定。
 
ACT1は、従来の標準的なNOR型フラッシュメモリセルに比べて、メモリセルの面積を約1/2に縮小することのできるメモリセル技術。これにより、同じデザインルールの場合、メモリ容量を2倍に拡大することが可能。

世界的に半導体不況の嵐が吹き荒れているが、次の一手を打たなければ光は見えてこない。両社の試みに期待したい。(Phile-web編集部)